La conception d'un interrupteur de puissance fiable, et performant nécessite le recours à une étude thermique aux particularités géométriques et structurelles des composants électroniques de puissance.

En effet, l'analyse de transfert de chaleur dans les composants de l'électronique répose sur les lois fondamentales de la théorie générale des transferts de chaleur. Ces particularités résident essentiellement dans la géométrie, la structure des dispositifs et dans les sources de chaleurs.

Ainsi, lors de la conception des systèmes électroniques, le modèle thermique est considéré essentiel pendant la simulation de la température de la jonction des composants électroniques en commutation. En fait, les modèles mixtes répertoriés jusqu'à maintenant ont certaines limitations d'application et leur précision diminue avec l'augmentation de la fréquence de commutation, ce qui est inacceptable pour beaucoup de fabricants d'équipements électroniques.

De ce fait, notre étude consiste à étudier les phénomènes thermiques en régime dynamique de l'IGBT ( Isulated Gate Bipolar Transistor) dans l'environnement NISA et de développer par la suite un modèle compact. Ce dernier sera basé sur l'impédance thermique transitoire qui reflète mieux le comportement thermique des composants électronique en commutation dans un système électronique de puissance avec modulation de la largeur d'impulsion (MLI).
 

Le 1^er août 2000